半導(dǎo)體清洗工藝是指清洗半導(dǎo)體制造過(guò)程中所使用的一系列化學(xué)和物理工藝。常規(guī)的半導(dǎo)體清洗工藝包括以下幾個(gè)步驟：

 

1. 使用雪花清洗機(jī)噴射清洗：雪花清洗機(jī) 即液態(tài)二氧化碳雪清洗機(jī)，利用液態(tài)二氧化碳低溫得特性清洗金手指表面氧化物，效果極佳。

 

1. 粗清洗：該步驟旨在去除表面的砂粒、塵埃、油污等雜質(zhì)。一般會(huì)使用去離子水、有機(jī)溶劑等清洗液進(jìn)行清洗。

 

2. 堿性清洗：該步驟會(huì)使用濃度較高的堿性清洗液，如氫氧化鈉（NaOH）或氫氧化銨（NH4OH），以去除金屬表面的氧化物和其他污染物。

 

3. 酸性清洗：該步驟會(huì)使用濃度較高的酸性清洗液，如硝酸（HNO3）或氫氟酸（HF），以去除金屬表面上的氧化物、碳偏等雜質(zhì)。

 

4. 成膜清洗：該步驟會(huì)使用超純水和有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗，目的是去除分子層沉積工藝（CVD）和物理氣相沉積工藝（PECVD）后殘留在晶片表面的有機(jī)物。

 

5. 終端清洗：該步驟是去除清洗過(guò)程中留下的殘留物。使用去離子水和有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗，清洗液會(huì)通過(guò)參考標(biāo)準(zhǔn)得到純化處理。

 

需要注意的是，半導(dǎo)體清洗工藝非常嚴(yán)格，需要保證清洗液的純度、濃度和溫度等參數(shù)，以避免對(duì)晶片產(chǎn)生損害。因此，需要在完全掌握相關(guān)知識(shí)和技術(shù)的前提下才能進(jìn)行清洗操作。